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KTP

       KTP具有與LiNbO3相當?shù)挠邢Ｍ腅-O和介電性能，這使其對各種E-O器件極為有用。

下表比較了KTP和常用的E-O調(diào)制器材料：

Material

  

   Phase

   Amplitude

 

ε

n 

 r pm/V 

 k 10 -6 /°C

n 7 r 2 / ε (pm/V) 2 

r pm/V 

 k 10 -6 /°C

n 7 r 2 / ε (pm/V) 2 

KTP

15.4

 1.80

 35.0

 31

 6130

27.0 

 11.7

 3650

 LiNbO 3

27.9

 2.20

 31.0

 82

 7410

20.1 

42 

 3500

KD*P

 48.0

 1.47

 26.4

 9

 178

 24

8 

178 

 LiIO 3

 5.9

 1.47

6.4

 24

 335

 1.2

 15

 124

 

當這些特性與高損傷閾值，高平均功率下的低光損耗，寬光帶寬，熱和機械穩(wěn)定性相結(jié)合時，KTP晶體有望取代LiNbO3晶體作為EO調(diào)制器，特別是用于鎖模二極管激光泵浦Nd：YAG Nd：YLF激光器以及Ti：Sapphire和Cr：LiSrAlF 6激光器。

 

      

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